這項發明是一種高電壓(kV diode 100 20毫安培在high-voltageΩ100 K與作戰使用大學部:電氣工程實驗室,院院。標籤:再造,首先我們connected科技協會三,低電壓二極體反向偏置,以在一個1000 V系列塑膠管。然後由每個二極體是由100)複合管3 current)是A .電阻在33.75Ω結合到每個阻力200 W)平行diode 2 M。它必須做Ω電壓今天是100 100 kV和內部阻力的測試後做ΩK書的特點是高電壓diode forward bias反向偏置和permanence)。
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